半导体http://cn.element14.com/semiconductors技术作为高科技领域到一大核心技术一直被广为关注，每次的创新和突破也都叫人大跌眼镜，我们无法预计某次科研大会上讨论到一个话题可能在数月之后就将很大程度上到改变我们的日常生活，但对于半导体技术的发展进程而言似乎只是弹指之间。

本周举行的ARM技术大会上，IBM半导体研究与发展中心副总裁Gary Patton做了一场内容丰富、信息量很大的主题演讲。演讲题为“20纳米及未来的半导体技术创新”。Patton谈到了光刻、材料和未来设备的现状。下面是演讲中让笔者吃惊的地方：

1. EUV还没有准备好

很多一线芯片厂商已经由193nm“干”蚀刻法转为45纳米制程的193nm浸润蚀刻。英特尔公司是例外，这家芯片巨头转向32nm浸润蚀刻。芯片未来很可能在28nm和22nm节点采用双模技术实现193nm浸润蚀刻。

15/14nm节点，行业将会倚赖EUV光刻——13nm波长的软性X射线技术。

Patton在演讲中表示，“EUV本来寄望于14nm或11nm节点，15/14nm的时候如果技术就绪，EUV也将很有优势。”

在简短的采访中，Patton说EUV尚未成熟。这不是什么新闻。多年来，EUV由于光源、掩模、检查工具的问题而延迟。

让人吃惊的地方在于，到现在至少也该有些关于EUV现状的模糊概念了。时间不等人。三星电子希望在2012年将EUV用于存储芯片的生产。EUV设备的生产商ASML正努力在此时限之前推出自己的第一批产品。很多人都不认为ASML能够按期交货，这意味着三星等公司暂时还将继续使用普通光刻。

2.计算光刻(computational lithography)

计算光刻已受到了极大关注，但该技术曾经被认为只不过是科研项目，新闻报道也多于实际的应用。

现在为了将光刻延伸到22和20nm以下，IBM、Intel甚至EDA厂商都开始重视计算光刻技术了。每家厂商对该技术都有不同的叫法，在市场上也引起了一些混乱。

Patton表示，无论如何，22和20nm节点，芯片厂商可能不得不求助于包括整合式显影光源优化(SMO)、像素化掩模、定制透镜在内的计算光刻技术。

3. 高-K金属栅暂无进展

2007年11月，IBM与英特尔分别公布了自己用于gate stack的高-K/金属栅极技术。今天，英特尔将两代高-K投入生产。与之相反的是，业界还在等待IBM及其合作伙伴推出基于高-K的芯片。

IBM合作伙伴之一的三星现在宣布目前采用高-K介质的32纳米工艺制程正在酝酿。三星官方否认了面临困难的传言，表示高-K技术工作的“很好”。

IBM的另一家合作伙伴AMD公司在2011年上半年之前不会推出基于高-K的芯片。传言说AMD推出高-K技术芯片的时间延后到2011年下半年。这里有点不协调，在演讲中，Patton将高-k/金属栅极技术是堆栈门的启动者，但却没有提供这种技术的研究进度。

高科技到发展总是伴随着天马行空到大胆创想，但也时刻会有瓶颈提示你是否走了弯路，半导体技术从被发现到广泛应用中间走过到路程，为其呕心沥血付诸青春到创造者都不可计算，我们所看到到是，半导体技术的发展推动了领域的进步，让科技和生活更加紧密的联系起来。

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